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如何設(shè)置VASP中的ISIF參數(shù)

在VASP(Vienna Ab initio Simulation Package)中,ISIF參數(shù)決定了是否計算壓力張量以及分子動力學(xué)和優(yōu)化計算過程中所允許改變的自由度。 默認情況下,VASP會關(guān)

在VASP(Vienna Ab initio Simulation Package)中,ISIF參數(shù)決定了是否計算壓力張量以及分子動力學(xué)和優(yōu)化計算過程中所允許改變的自由度。

默認情況下,VASP會關(guān)閉分子動力學(xué)運行,并對壓力進行計算。壓力張量的計算可能會消耗較長的時間。

ISIF參數(shù)的默認值為1和2。同時,ISIF參數(shù)還決定著在計算過程中允許改變的自由度,包括離子位置、晶胞體積和晶胞形狀。

當需要計算二維材料時,一般會在Z軸方向設(shè)置一個真空層。此時,可以將ISIF參數(shù)設(shè)置為2,只改變原子位置的自由度。

具體每個數(shù)值所代表的意思在下表中展示:

ISIF數(shù)值 所代表的意義
1 只計算壓力張量
2 改變原子位置
3 改變原子位置、晶胞體積和晶胞形狀

如果僅需要計算壓力張量并將結(jié)果寫入OUTCAR文件中,可以將ISIF參數(shù)設(shè)置為1。

以下是一個常用的INCAR文件示例,供您在優(yōu)化計算時參考使用:

  ISIF  2
  ENCUT  500
  EDIFF  1e-6
  ...

在您的VASP計算中,根據(jù)具體的需求和系統(tǒng)特點,選擇合適的ISIF參數(shù)設(shè)置,可以幫助您得到準確且高效的計算結(jié)果。

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