如何給威聯(lián)通TS-453Bmini分配存儲空間
理解磁盤空間管理概念在威聯(lián)通TS-453Bmini中,磁盤空間管理分為三層架構(gòu)。最底層是單個獨立的硬盤,屬于硬件層,只需將其插入主機即可。中間層是存儲池層,一個存儲池可以創(chuàng)建在一個或多個硬盤上,而一
理解磁盤空間管理概念
在威聯(lián)通TS-453Bmini中,磁盤空間管理分為三層架構(gòu)。最底層是單個獨立的硬盤,屬于硬件層,只需將其插入主機即可。中間層是存儲池層,一個存儲池可以創(chuàng)建在一個或多個硬盤上,而一個硬盤只能創(chuàng)建在一個存儲池里。最高層則是卷或LUN,相當于家用電腦中的硬盤分區(qū)。
創(chuàng)建存儲池步驟
1. 打開“存儲與快照總管”-“存儲空間”-“存儲與快照”菜單,選擇“新建存儲池”。
2. 在“創(chuàng)建存儲池向?qū)А敝?,閱讀技術(shù)說明并選擇要用于創(chuàng)建存儲池的硬盤。
3. 配置臨界警報值,以便在空間達到臨界時接收預(yù)警。
4. 查看配置信息,確認無誤后,點擊“創(chuàng)建”即可。
創(chuàng)建卷步驟
1. 存儲池創(chuàng)建完成后,會提示創(chuàng)建新卷,選擇“新卷”打開“磁盤區(qū)創(chuàng)建向?qū)А薄?/p>
2. 在向?qū)е?,選擇新建卷類型及磁盤,不同類型具有不同特性。
3. 配置名稱、卷大小和文件系統(tǒng)大小,高級設(shè)置中可進一步設(shè)置特性。
4. 確認配置信息無誤,點擊“完成”。
注意事項
- 在創(chuàng)建存儲池時,整個池對應(yīng)的所有硬盤中的數(shù)據(jù)將會被清除,務(wù)必備份重要資料。
- 可重復(fù)以上步驟創(chuàng)建多個存儲池和卷,以滿足不同需求。
通過以上步驟,您可以有效地為威聯(lián)通TS-453Bmini分配存儲空間,并充分利用其功能和性能。愿這些指南能幫助您更好地管理您的存儲設(shè)備。