為什么摻雜濃度越低空間電荷區(qū)越寬？據(jù)公式，空間電荷區(qū)寬度(spacebatteryregionwidth)是和p型和n型參雜濃度(dopantconcentration)倒數(shù)之和成正比。但，若濃度比較

為什么摻雜濃度越低空間電荷區(qū)越寬？

據(jù)公式，空間電荷區(qū)寬度(spacebatteryregionwidth)是和p型和n型參雜濃度(dopantconcentration)倒數(shù)之和成正比。但，若濃度比較低，空間電荷去寬度則較小，或且則反。因為，在濃度比較小的pn結(jié)中，空間電荷區(qū)會比較比較寬。

采取措施極限情況，當(dāng)攙雜濃度為零時，金屬內(nèi)部僅有少量不可能發(fā)生電離，所以PN結(jié)內(nèi)部的正負(fù)離子基本都也沒，則空間電荷區(qū)不修真者的存在。

空間中點電荷的電勢大?。?/h2>

離正點電荷越遠(yuǎn)，電勢越低；離負(fù)點電荷越近，電勢越低。

pn結(jié)的空間電荷區(qū)具有什么特點？

pN結(jié)的主要特點是依靠電子或空穴的單方向?qū)щ娦浴?/p>

pn結(jié)的工作狀態(tài)和條件？

我來回答我一種相對于簡潔的答案，柯西-黎曼方程以上三個條件的被稱PN結(jié)：

1、由P型和N型半導(dǎo)體外界而無法形成；

2、在它們的西南角面處不能形成空間電荷區(qū)；

3、兩邊呈弱酸性區(qū)。學(xué)半導(dǎo)體器件物理再生克制化老師解釋學(xué)習(xí)總結(jié)出來的，如有表述事有蹊蹺之處希望能不當(dāng)之處。

pn結(jié)擴(kuò)散區(qū)是耗盡區(qū)嗎？

是擴(kuò)散了電流與漂移電流的平衡吧，估計有啊，PN結(jié)空間電荷區(qū)是耗空區(qū)，我知道，但不屬於耗空區(qū)里面就沒有載流子（只是說載流子的濃度少了，總的電荷的代數(shù)和不為零，所以有一種了凈電荷，才叫空間電荷區(qū)，而載流子濃度相比較P區(qū)，N區(qū)而言，少了很多很多，看起來像幾乎耗盡了差不多，所以才叫耗空層，但不是什么沒有。）

為什么溫度升高vbe會減小 而ib增大？

溫度升高,本證增強(qiáng)少子增加,在正向偏置的PN節(jié)中,會增加內(nèi)電場,也就是空間電荷區(qū)變寬,被抵消一部分外電場,也就是vbe,故,vbe越小

VBE的變化將是從IB的變化影響大Q點。BJT的電流可以放大系數(shù)b會隨溫度的升高多少而會增大,這是畢竟溫度升高后,減慢了基區(qū)吸納載流子的擴(kuò)散

剩余電荷密度是什么意思？

在電磁學(xué)里，電荷密度是一種度量，詳細(xì)解釋電荷其分布的密度。電荷密度又這個可以分類為線電荷密度、面電荷密度、體電荷密度。

假設(shè)電荷其分布于一條曲線或一根直棒子，則其線電荷密度是每單位長度的電荷量，單位為庫侖/米(coulomb/meter)。打比方電荷其分布于一個平面或一個物體的表面，則其面電荷密度是每單位面積的電荷量，單位為庫侖/米^2。舉例電荷分布特點于一個三維空間的某區(qū)域或物體內(nèi)部，則其體電荷密度是每單位體積的電荷量，單位為庫侖/米^3。