真我gtneo2pro參數(shù)配置？機(jī)身信息機(jī)身結(jié)構(gòu)：直板手機(jī)顏色：白色,藍(lán)色,藍(lán)色的,紅色手機(jī)尺寸：163.2×74.7×8.18mm手機(jī)重量：189g電池類型：鋰聚合物電池,5000mAh快充：支持什

真我gtneo2pro參數(shù)配置？

機(jī)身信息

機(jī)身結(jié)構(gòu)：

直板

手機(jī)顏色：

白色,藍(lán)色,藍(lán)色的,紅色

手機(jī)尺寸：

163.2×74.7×8.18mm

手機(jī)重量：

189g

電池類型：

鋰聚合物電池,5000mAh

快充：

支持什么65W快充

電池更換：

不接受

屏幕信息

屏幕尺寸：

6.7英寸

屏幕材質(zhì)：

AMOLED

屏幕色數(shù)：

10.7億色數(shù)

屏幕分辨率：

3216×1440像素

像素密度：

526PPI

屏幕刷新率：

120Hz

屏占比：

92.6%

觸控

電容屏(多點(diǎn)觸控)

輕觸特性：

手勢(shì)操作

屏幕特性：

100% DCI-P3廣色域

系統(tǒng)與硬件

操作系統(tǒng)：

Android12

CPU型號(hào)：

高通公司驍龍8 Gen 1

核心數(shù)：

八核

主頻：

3072MHz

CPU制程：

4nm

CPU架構(gòu)：

Cortex-X2,Cortex-A710,Cortex-A510GPU型號(hào)：

Adreno730

運(yùn)行內(nèi)存：

8GB

內(nèi)存類型：

LPDDR5

機(jī)身容量：

256GB

閃存類型：

UFS 3.1

后置攝像頭拍照查看樣張

傳感器類型：

CMOS

后置相機(jī)：

5000廣角微距萬(wàn)像素

傳感器型號(hào)：

索尼IMX766

傳感器尺寸：

1/1.56英寸

前置相機(jī)：

3200萬(wàn)像素

光圈：

F2.4

變焦：

接受20倍-40倍微距變焦

閃光燈：

后置相機(jī)LED閃光燈

影音娛樂

音樂特性：

杜比音效

影音特性：

立體三維雙超線性揚(yáng)聲器，雙mic降噪

導(dǎo)航儀與傳感器

GPS：

內(nèi)置GPS芯片,意見導(dǎo)航功能

感應(yīng)器：

重力感應(yīng)器,光感應(yīng)器,距離傳感器,加速度感應(yīng)器,陀螺儀感應(yīng)器,電子羅盤,面部識(shí)別

特色功能：

色溫傳感器，屏下光學(xué)指紋（接受心率測(cè)量）

基本功能

USB接口：

Type C,意見USBOTG功能

耳機(jī)接口：

與Micro USBType C接口共用

無(wú)線連接：

NFC

鍵盤類型：

虛擬鍵盤

再輸入

觸控打印

輸入法：

中文輸入法,英文輸入法,第三方輸入法

電性能的四個(gè)參數(shù)？

絕緣電阻、介電系數(shù)、介質(zhì)所消耗因數(shù)和絕緣強(qiáng)度

變壓器絕緣材料電氣性能的四個(gè)基本參數(shù)和絕緣電阻、介電系數(shù)、介質(zhì)所消耗因數(shù)和絕緣強(qiáng)度。

2.1絕緣電阻

2.1.1絕緣電阻的概念絕緣材料的電阻是指絕緣材料在直流電壓的作用下，不加壓時(shí)間較長(zhǎng)，且使線路上的充電電流和直接吸收電流消失，只有一線路漏電電流按照時(shí)的電阻值/好象規(guī)定為電壓再加一分鐘后，所測(cè)得的電阻值即絕緣阻值值。對(duì)于高電壓大容量的變壓器，測(cè)量絕緣電阻時(shí)規(guī)定為不加壓10分鐘。

2.1.2影響絕緣電阻的因素

2.1.2.1溫度與絕緣電阻的關(guān)系

隨著溫度的升高，電阻率呈指數(shù)下降，這是只不過當(dāng)溫度升高時(shí)，分子熱運(yùn)動(dòng)加重，分子得平均動(dòng)能大小改變，使分子動(dòng)能提升到活化能得幾率減少，離子很容易撤回。

2.1.2.2濕度與絕緣值得關(guān)系

水分浸透電介質(zhì)中，增加了導(dǎo)電離子，又能促進(jìn)雜質(zhì)及極性分子離解。而絕緣材料伴隨著濕度會(huì)增大而會(huì)下降，尤其是絕緣紙或絕緣紙板得絕緣電阻下降的幅度更大。

電介質(zhì)表面水分對(duì)其表面電阻影響很靈巧，離子晶體極性材料等親水物資對(duì)水的吸引力大于水分子間的內(nèi)聚力，表面在不的水層降低表面電阻。并且電器設(shè)備的原因受潮發(fā)霉引起絕緣電阻降底，照成短路電流過大而物理?yè)p壞設(shè)備。

2.1.2.3雜質(zhì)與絕緣電阻的關(guān)系電介質(zhì)的雜質(zhì)就增強(qiáng)了導(dǎo)電離子，使電阻會(huì)下降，雜質(zhì)又容易潛伏到極性材料中，促進(jìn)極性分子離解使導(dǎo)電離子許多。

電介質(zhì)表面受雜質(zhì)污染，并吸附性水分會(huì)使表面電阻率飛快會(huì)下降、絕緣材料的絕緣電阻是上級(jí)主管部門材料中雜質(zhì)多少的最靈敏的參數(shù)之一。在絕緣材料的標(biāo)準(zhǔn)中常常用測(cè)量體積電阻率的方法來(lái)絕對(duì)標(biāo)準(zhǔn)絕緣材料的雜質(zhì)含量，目的是只要絕緣材料的絕緣水平，絕緣材料廠需要嚴(yán)不地操縱生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度。

2.1.2.4電場(chǎng)強(qiáng)度與絕緣電阻的關(guān)系

在電場(chǎng)強(qiáng)度不太高的情況下，電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)離子的轉(zhuǎn)移能力和對(duì)電阻率的影響都很小。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度血壓時(shí)，離子的遷移能力隨電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)升高而增加，使電阻率下降，當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度降低到使電介質(zhì)之際擊壞時(shí)，的原因會(huì)出現(xiàn)大量電子遷移到，使電阻率呈指數(shù)下降