半導(dǎo)體的電阻率范圍是多少？半導(dǎo)體的電阻率介于金屬和絕緣體之間：室溫時(shí)約在1mΩ·cm～1GΩ·cm之間（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，也有取其1/10或10倍的）?；拘畔⒕螂娮杪逝c晶向關(guān)聯(lián)。這對各

半導(dǎo)體的電阻率范圍是多少？

半導(dǎo)體的電阻率介于金屬和絕緣體之間：室溫時(shí)約在1mΩ·cm～1GΩ·cm之間（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，也有取其1/10或10倍的）。

基本信息

晶向

電阻率與晶向關(guān)聯(lián)。

這對各向異性的晶體，電導(dǎo)率是一個(gè)二階張量，共三27個(gè)分量。

尤其的，是對Si之類的更具立方對稱性的晶體，電導(dǎo)率是可以簡化后為一個(gè)標(biāo)量的常數(shù)（其他二階張量的物理量也是如此）。

載流子

電阻率的大小做出決定于半導(dǎo)體載流子濃度n和載流子遷移率μ：ρ1/nqμ。

這對游離濃度不均勻的擴(kuò)散區(qū)的情況，一般說來常規(guī)來算電導(dǎo)率的概念；在完全不同的擴(kuò)散濃度其分布（比如高斯分布或余誤差廣泛分布等）情況下，也不予行政處罰決定了換算下來電導(dǎo)率與擴(kuò)散雜質(zhì)表面濃度之間的關(guān)系曲線，可供查用。

溫度

決定電阻率溫度關(guān)系的通常因素是載流子濃度和遷移率隨溫度的變化關(guān)系。

在低溫下

而載流子濃度指數(shù)式大小改變（施主或受主雜質(zhì)不時(shí)電離），而遷移率又是速度變大的（電離雜質(zhì)散射作用減緩之故），所以這時(shí)電阻率緊接著溫度的升高而迅速下降。

在室溫下

導(dǎo)致施主或受主雜質(zhì)巳經(jīng)幾乎電離，則載流子濃度變?yōu)?，但遷移到率將緊接著溫度的升高而降低（晶格振動(dòng)加重，造成聲子散射增強(qiáng)功能失常），所以我電阻率將緊接著溫度的會(huì)升高而大小改變。

在高溫下

過了一會(huì)兒本征釋放正在起作用，載流子濃度將指數(shù)式地一下子速度變大，只不過正在此時(shí)遷移到率依然緊接著溫度的會(huì)升高而減少（晶格振動(dòng)散射散射越來越大強(qiáng)），可是這種遷移率減少的作用還不如載流子濃度大小改變的強(qiáng)，所以我總的效果是電阻率隨著溫度的會(huì)升高而會(huì)下降。

本征增強(qiáng)溫度

半導(dǎo)體又開始本征增強(qiáng)起重要作用的溫度，也就是電阻率很快降低的溫度，該溫度來講那就是所有以pn結(jié)才是工作基礎(chǔ)的半導(dǎo)體器件的高了工作溫度（畢竟在該溫度下，pn結(jié)即并沒有修真者的存在）；該溫度的高低與半導(dǎo)體的滲雜濃度或者，摻雜濃度越高，只不過多數(shù)載流子濃度越大，則本征激發(fā)起重要作用的溫度——半導(dǎo)體器件的極高工作溫度也就越高。所以我，若特別要求半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性越高，其滲雜濃度就肯定越大

pn結(jié)兩端是什么？

PN結(jié)是由一個(gè)N型摻雜區(qū)和一個(gè)P型游離區(qū)緊密所接觸所所構(gòu)成的，其所接觸界面稱做冶金結(jié)界面。在一塊發(fā)下的硅片上，用相同的滲雜工藝使其著邊形成N型半導(dǎo)體，另不停地?zé)o法形成P型半導(dǎo)體，我們稱兩種半導(dǎo)體的交界處面附近的區(qū)域?yàn)镻N結(jié)。

所以我pn結(jié)兩端是P型和N型半導(dǎo)體。