請教單片機掉電后，如何快速的保存數據問題？因為題主的問題，我想估計從以上幾個方面從哪里入手：最好不要選用天然內部的flash來存儲數據，內部flash的讀寫速度快，可靠性高。要是用外置的flash或則

請教單片機掉電后，如何快速的保存數據問題？

因為題主的問題，我想估計從以上幾個方面從哪里入手：

最好不要選用天然內部的flash來存儲數據，內部flash的讀寫速度快，可靠性高。

要是用外置的flash或則是eeprom進行存儲，flash一般是spi接口，決定到電磁干擾，MCU的響應速度等問題，除非是采用MCU的硬件SPI模塊并且通信，SPI的clock時鐘最低也就1MHz左右，發(fā)送中1個字節(jié)的數據差不多是需要10us，不考慮到刪除區(qū)域flash的時間，存儲100個字節(jié)的數據，如果沒有考慮可靠性，是需要加載驗證，大概需要5ms左右的時間。

而eeprom一般區(qū)分IIC接口，與SPI接口帶有，以出口下高速IIC進行通信，存儲100個字節(jié)的數據大概必須5ms左右的時候。

FLASH的特點是寫數據沒有辦法由1擴寫為0，由0重新編寫為1必須整個page，的或整個sector，的或整個block并且擦除。

以STM32F051為例，一個page為1kByte，一個block為64kByte，擦除數據一個page大概需要的時間約20ms，在整個橡皮擦功能過程中，整個MCU是掛機的，也就是不執(zhí)行任何操作。而FLASH的寫操作比較好快，至少1個Byte前后歷時1us。

必須有掉電檢測電路，掉電怎么檢測必須是從檢測給MCU供電的LDO的或DC-DC的前級電壓。

.例如MCU-3.3V的LDO電源供電，則不需要實際檢測12V的電壓來判斷是否斷電后。

將12V按照電阻分壓之后，接入MCU的A/D檢測檢測口來確認如何確定掉電。

MCU供電的LDO或是DC-DC的前級并聯連接起碼的電容，以以保證電容的供電能可以保證MCU將數據讀取。

也可以通過以下的步驟再確認電容的大?。?/p>

出具評估報告由掉電時前級電壓供電的工作電流大小，MCU一但檢測檢測到掉電，不需要切掉耗電大的控制輸出，諸如控制繼電器輸出的I/O口要立即斷開連接。比如說20mA。

確認LDO的最少輸入電壓，比如5.3

確認推測掉電的電壓，比如說10V，再確認掉電結束到LDO最多輸入電壓之間的壓差，例如4.7V

去確認讀取所有數據所需要的時間，.例如20ms。

參照公式計算所需電容的容量，CI*T/U20mA*20mS/4.7V85uF?？芍?選擇100uF的電容。

MCU否則的話先檢測到掉電，需要切掉耗電大的控制輸出，諸如再控制繼電器輸出的I/O口是需要立馬斷開。

在正常了工作時，早就準備著一塊存儲空間，將其橡皮擦功能擁有0xFF。

怎么檢測到掉電之后，是可以不不需要擦除FLASH內容，可以再讀取數據，這個可以浪費大量的時間。

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