mos管驅(qū)動芯片負(fù)壓怎么產(chǎn)生的？LT1946是boost升壓DCDC，SW上是方波（幅值略8V）。C32相比C31來說很小，所以C31充放電很快。但，在本電路的分析中，可以不其實(shí)C32連接導(dǎo)線電壓大小

mos管驅(qū)動芯片負(fù)壓怎么產(chǎn)生的？

LT1946是boost升壓DCDC，SW上是方波（幅值略8V）。

C32相比C31來說很小，所以C31充放電很快。但，在本電路的分析中，可以不其實(shí)C32連接導(dǎo)線電壓大小關(guān)系，急速帶領(lǐng)SW的波形。上電后，SW高電平時(shí)，D2的1-2導(dǎo)通、3-1截止。并且該部分電路不工作的話。SW負(fù)電平時(shí)，D2的3-1導(dǎo)通，由于C31上電壓又不能基因變化，想罷連成了C31按照D2的3-1和C32的充電回路，待到C31負(fù)端為-8V。結(jié)束后就這樣發(fā)熱發(fā)冷充電器充電，我得到負(fù)壓。該部分負(fù)壓電路僅僅實(shí)際電容和二極管沖電有一種，而沒有電流驅(qū)動程序能力！