pfc電路mos管擊穿原因？pfc電路中mos管擊穿的原因:過壓破壞，包括柵極過壓和漏極過壓，過壓后往往伴隨過流。如果短時間內(nèi)保護，那簡直就是過壓損壞。此時可以看到，在源的非打線區(qū)域會有小黑點，顏色可

pfc電路mos管擊穿原因？

pfc電路中mos管擊穿的原因:過壓破壞，包括柵極過壓和漏極過壓，過壓后往往伴隨過流。如果短時間內(nèi)保護，那簡直就是過壓損壞。此時可以看到，在源的非打線區(qū)域會有小黑點，顏色可能不會很深。如果過壓后沒有保護然后保護會被過流損壞，芯片會在源的非打線區(qū)域大面積燒黑。

mos管損耗和什么有關(guān)？

mos管的損耗與過流、過壓、靜電有關(guān)。

過流——持續(xù)大電流或瞬間大電流導致結(jié)溫過高而燒毀。

過壓-源漏過壓擊穿，源柵過壓擊穿。

靜電——靜電擊穿，CMOS電路怕靜電。

MOS的工作狀態(tài)分為:on過程(從關(guān)到開的過渡過程)、on狀態(tài)、off過程(從開到關(guān)的過渡過程)和off狀態(tài)。

MOS對應這些狀態(tài)的主要損耗:開關(guān)損耗(導通過程和關(guān)斷過程)、導通損耗、關(guān)斷損耗(漏電流引起，忽略不計)、雪崩能量損耗。只要這些損耗控制在MOS容差范圍內(nèi)，MOS就會正常工作。如果超出公差范圍，就會發(fā)生損壞。然而，開關(guān)損耗通常大于通態(tài)損耗，對于不同的MOS，差距可能很大。

mos管擊穿原因及解決？

MOS管擊穿的原因及解決方法如下:

第一，MOS管本身的輸入電阻很高，柵源之間的電容很小，所以很容易被外部電磁場或靜電充電，少量的電荷就能在電極之間的電容上形成相當高的電壓(UQ/C)，會損壞管。

雖然MOS輸入有防靜電保護措施，但仍需小心對待。在儲存和運輸中，最好用金屬容器或?qū)щ姴牧习b，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。

在裝配和調(diào)試期間，工具、儀器、工作臺等。應接地良好。為防止操作人員靜電干擾造成的傷害，如果不適合穿尼龍或化纖衣服，最好在接觸集成塊前用手或工具接觸地面。當拉直、彎曲或手工焊接設(shè)備引線時，所用設(shè)備必須良好接地。。

二、MOS電路輸入端保護二極管的電流容差一般為1mA。當可能出現(xiàn)過大的瞬態(tài)輸入電流(超過10mA)時，應串聯(lián)輸入保護電阻。還有129#沒 初始設(shè)計時沒有加保護電阻，所以這也是MOS管可能擊穿的原因。因此，可以通過更換具有內(nèi)部保護電阻的MOS管來防止這種故障。

另外，由于保護電路吸收的瞬時能量有限，瞬時信號過大、靜電電壓過高都會使保護電路失效。因此，在焊接時，電烙鐵必須可靠接地，以防止漏電穿透設(shè)備的輸入端。一般使用時，停電后電烙鐵的余熱可用于焊接，電烙鐵應先接地。Pin。