半導(dǎo)體中ni什么意思？半導(dǎo)體中ni是本征載流子（Intrinsiccarrier）那是本征半導(dǎo)體中的載流子（電子和空穴），即不是由滲雜所才能產(chǎn)生出來的載流子。也就是說，本征載流子是由熱激發(fā)——本征放出

半導(dǎo)體中ni什么意思？

半導(dǎo)體中ni是本征載流子（Intrinsiccarrier）那是本征半導(dǎo)體中的載流子（電子和空穴），即不是由滲雜所才能產(chǎn)生出來的載流子。也就是說，本征載流子是由熱激發(fā)——本征放出所出現(xiàn)不出來的，即是價(jià)電子從價(jià)帶躍遷到到導(dǎo)帶而才能產(chǎn)生進(jìn)去的；它們是成對出現(xiàn)的，所以我電子和空穴的濃度依然成比例。

PN結(jié)正偏時(shí)( )，反偏時(shí)( )，所以PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕?/h2>

PN結(jié)正偏時(shí)（導(dǎo)通），反偏時(shí)（截止），所以我PN結(jié)具有（分流）導(dǎo)電性。2.本征半導(dǎo)體加入到硼擁有(P型半導(dǎo)體)

兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體的特點(diǎn)？

雜質(zhì)半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體中加入添加劑某些微量元素以及雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性突然發(fā)生特別顯著變化。添入的雜質(zhì)主要注意是三價(jià)或五價(jià)元素。添入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體一般稱雜質(zhì)半導(dǎo)體

什么是本征半導(dǎo)體?什么是雜質(zhì)半導(dǎo)體(N型、P型)？

本征半導(dǎo)體是太透明不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體晶體，而在單晶半導(dǎo)體內(nèi)，原子按晶體結(jié)構(gòu)排列得相當(dāng)整齊的隊(duì)列。雜質(zhì)半導(dǎo)體那就是加入添加劑微量元素的本征半導(dǎo)體，例：N型摻人五價(jià)元素磷，P型摻入三價(jià)元素硼。

簡述本征半導(dǎo)體的三個(gè)主要特性？

本征半導(dǎo)體(intrinsicsemiconductor)是幾乎不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體。

特點(diǎn)：電子濃度＝空穴濃度，載流子少，導(dǎo)電性差，溫度穩(wěn)定性差，所以我，實(shí)際上少用，要摻雜后才實(shí)用。

關(guān)于電子電工技術(shù)中，半導(dǎo)體的本征激發(fā)，空穴怎么運(yùn)動的？

對的原子中電子直接吸收外界能量后，遠(yuǎn)遠(yuǎn)離開原子，從價(jià)帶剛剛進(jìn)入導(dǎo)帶，下一界近自由粒子在晶體內(nèi)運(yùn)動；電子沖出原子后，在原位置無法形成空穴，電子空穴仍然造成依附原子勢場的作用；比較有效質(zhì)量的意義只是相對而言體現(xiàn)了什么了載流子受到內(nèi)部勢場和外電場作用的綜合考效果，載流子送來了更大來自于半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的影響，故體現(xiàn)了什么為具備大得多的管用質(zhì)量。

N型.P型半導(dǎo)體中的載流子各是什么？

P型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中兌入三價(jià)元素（如硼），使之變成晶格中硅原子的位置，就連成了P型半導(dǎo)體。

多數(shù)載流子：P型半導(dǎo)體中，空穴的濃度為0自由電子的濃度，稱做多數(shù)載流子，西安北方光電有限公司多子。

小部分載流子：P型半導(dǎo)體中，自由電子為少數(shù)載流子，國家建筑材料工業(yè)局少子。

N型半導(dǎo)體：在極純的硅晶體中添入五價(jià)元素（如磷），使之脫離晶格中硅原子的位置不能形成N型半導(dǎo)體。

多子：N型半導(dǎo)體中，多子為自由電子。

少子：N型半導(dǎo)體中，少子為空穴。

存儲資料：

N型半導(dǎo)體的特點(diǎn)：

半導(dǎo)體中有兩種載流子，即價(jià)帶中的空穴和導(dǎo)帶中的電子，以電子導(dǎo)電為主兼顧的半導(dǎo)體稱之為N型半導(dǎo)體，與之相對于的，以p型半導(dǎo)體導(dǎo)電偏于的半導(dǎo)體稱作P型半導(dǎo)體。

“N”可以表示負(fù)電的意思，取自于英文Negative的第一個(gè)字母。在這類半導(dǎo)體中，組織導(dǎo)電的(即導(dǎo)電載體)主要是帶負(fù)電的電子，這些電子充斥半導(dǎo)體中的施主。凡摻有施主雜質(zhì)或施主數(shù)量多于受主的半導(dǎo)體大都N型半導(dǎo)體。.例如，所含的不要過量五價(jià)元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導(dǎo)體。

的原因N型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量之和，故N型半導(dǎo)體呈電弱酸。自由電子要注意由雜質(zhì)原子提供給，電子和空穴由熱放出自然形成。摻入的雜質(zhì)少嘛，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。

P型半導(dǎo)體的特點(diǎn)：

半導(dǎo)體中有兩種載流子：導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴。要是某一類型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性主要注意憑著價(jià)帶中的空穴，則該類型的半導(dǎo)體就一般稱P型半導(dǎo)體。

“P”表示正電的意思，語出英文Positive的第一個(gè)字母。在這類半導(dǎo)體中，組織導(dǎo)電的(即電荷載體)主要注意是帶正電的空穴，這些空穴不知從何而來半導(dǎo)體中的受主。并且凡摻有受主雜質(zhì)或受主數(shù)量緩于施主的半導(dǎo)體也是p型半導(dǎo)體。.例如，含有什么不要過量三價(jià)元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導(dǎo)體就是P型半導(dǎo)體。

因此P型半導(dǎo)體中負(fù)電量與負(fù)電荷量之和，故P型半導(dǎo)體呈電弱酸?？昭ㄒ⒁庥呻s質(zhì)原子可以提供，自由電子由熱增強(qiáng)無法形成。摻人的雜質(zhì)少嘛，多子（電子空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。