華碩h410內(nèi)存怎么樣更改時序？存儲器時序調(diào)整步驟如下:打開BIOS中的手動設置。Find ";DRAM timing optional"; in the basic input and output

華碩h410內(nèi)存怎么樣更改時序？

存儲器時序調(diào)整步驟如下:

打開BIOS中的手動設置。

Find ";DRAM timing optional"; in the basic input and output system settings.

Other descriptions that may appear in the basic input and output system settings include automatic configuration, automatic, timing optional, timing configuration through SPD, etc., and its value is set to ";I";Nual "(可能的選項包括:開/關(guān)或啟用/禁用，具體取決于BIOS)。

根據(jù)行和列對內(nèi)存進行尋址，當請求被觸發(fā)時，最初是tRAS。

預充電之后，存儲器才真正開始初始化RAS。tRAS激活后，RAS(行地址選通)開始尋址所需的數(shù)據(jù)。首先是行地址，然后tRCD被初始化，循環(huán)結(jié)束，然后通過CAS訪問所需的數(shù)據(jù)。的準確十六進制地址。從CAS開始到CAS結(jié)束的時間是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一步，也是最重要的內(nèi)存參數(shù)。

存儲器定時是一個參數(shù)，通常存儲在記憶棒的SPD中。2-2-2-8四個數(shù)字的含義依次是:CAS潛伏期(簡稱CL值)，是記憶的重要參數(shù)之一。某些品牌的內(nèi)存會將CL值打印在內(nèi)存條上。在標簽上。Ras到cas延遲(TRCD)，內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間。

內(nèi)存時序怎么調(diào)？

存儲定時是一個參數(shù)，一般存儲在記憶棒的SPD上，其調(diào)整方法如下:

1. F12 enters the BIOS and finds ";DRAM Timing Optional"; in the basic input and output system settings.

2. Other descriptions that may appear in BIOS settings include automatic configuration, automatic, timing optional, timing configuration through SPD, etc. Set its value to; ";Menual "(可能的選項包括:開/關(guān)或啟用/禁用，具體取決于BIOS)。

3.根據(jù)行和列來尋址存儲器。當請求被觸發(fā)時，它最初是tRAS。

4.預充電后，存儲器真正開始初始化RAS。tRAS激活后，RAS(行地址選通)開始尋址所需的數(shù)據(jù)。

首先是行地址，然后tRCD被初始化，循環(huán)結(jié)束，然后通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的確切十六進制地址。從CAS開始到CAS結(jié)束的時間是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一步，也是最重要的內(nèi)存參數(shù)。