存儲器分類及各自特點有哪些？你好，根據(jù)不同的特點，內(nèi)存分類有很多種分類方法。(1)按工作性質(zhì)/訪問方法分類？隨機(jī)存取存儲器(RAM)-每個單元都有相同的讀寫時間，不管每個單元的位置如何。如:內(nèi)存。？順

存儲器分類及各自特點有哪些？

你好，根據(jù)不同的特點，內(nèi)存分類有很多種分類方法。

(1)按工作性質(zhì)/訪問方法分類

？隨機(jī)存取存儲器(RAM)-每個單元都有相同的讀寫時間，不管每個單元的位置如何。如:內(nèi)存。

？順序存取存儲器(SAM)-數(shù)據(jù)是從存儲載體的開始按順序讀取或?qū)懭氲?，因此存取時間與信息的位置有關(guān)。比如:磁帶。

？直接存取內(nèi)存(DAM)——直接去讀寫數(shù)據(jù)塊，按順序讀寫數(shù)據(jù)塊。例如磁盤。

？關(guān)聯(lián)存儲器-根據(jù)檢索到存儲位置的內(nèi)容進(jìn)行讀寫。比如:快表。

(2)按存儲介質(zhì)分類

半導(dǎo)體存儲器:雙極型，靜態(tài)MOS，動態(tài)MOS。

磁性表面存儲:磁盤、磁帶。

光存儲:CD，CD-ROM，DVD。

(3)根據(jù)信息的可修改性進(jìn)行分類

讀寫存儲器:可讀可寫

只讀存儲器:只讀，不可寫。

(4)根據(jù)斷電后信息的可保存性。

非易失性(非易失性)存儲器:在沒有電源的情況下可以一直保存信息。

易失性存儲器

(5)按功能/容量/速度/位置分類

？寄存器——封裝在CPU中，用于存儲當(dāng)前執(zhí)行的指令和使用的數(shù)據(jù)——由觸發(fā)器實現(xiàn)，速度快，容量小(幾個到幾十個)。

？cache——位于CPU內(nèi)部或附近，用于存儲當(dāng)前要執(zhí)行的本地程序段和數(shù)據(jù)——由SRAM實現(xiàn)，可以匹配CPU的速度，容量很小(幾MB)。

？內(nèi)部存儲器——位于CPU外部，用于存儲啟動的程序和數(shù)據(jù)——由DRAM實現(xiàn)，它速度快，容量大(幾GB)。

？外部存儲器——位于主機(jī)外部，用于存儲暫時不活動的程序、數(shù)據(jù)或存檔文件——由磁面或光存儲器實現(xiàn)，容量大，速度慢。

mos管漏電流大小怎么測？

電阻法和電壓法。

(1)電阻法電阻法是利用金屬導(dǎo)體的電阻特性進(jìn)行測量的，包括DC法和交流法。

1 DC測量原理當(dāng)mosfet的柵極接一個DC電源時，由于mos晶體管的漏極和源極之間存在電位差，所以通過的電流與柵漏之間的電壓成正比；另一方面，當(dāng)柵極關(guān)斷(相當(dāng)于開路)時，mos晶體管處于無負(fù)載的靜態(tài)(相當(dāng)于開路)，其輸出會呈現(xiàn)高阻態(tài)，因此可以通過改變外部電路的阻抗或調(diào)整輸入信號的電平來控制輸出電平。

2交流測量原理當(dāng)mosfet的漏極接交流信號源時，由于信號的頻率等于mos管的開關(guān)頻率，即kωfs，所以可以通過改變外接阻抗值來控制輸出。