場(chǎng)效應(yīng)管共分幾種？場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。mos管是物理開關(guān)嗎？場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)稱MOS可以做物理開關(guān)功能用，它由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬

場(chǎng)效應(yīng)管共分幾種？

場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。

mos管是物理開關(guān)嗎？

場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)稱MOS可以做物理開關(guān)功能用，它由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10~10Ω)、噪聲小、功耗低

mos管和ic區(qū)別？

MOS管本質(zhì)上并沒有區(qū)別，使用IC或電平來控制MOS只是根據(jù)負(fù)載需求而并非MOS本身管來制定的。

MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)三級(jí)管,而普通三極管則是P-N-P或 N-P-N結(jié)構(gòu)(雙極工藝)的三極管,IC(集成電路)是采用MOS或雙極工藝或復(fù)合工藝在半導(dǎo)體基片上制作若干個(gè)元器件并連接成電路的器件。

MOS和場(chǎng)效應(yīng)管可以混用嗎？

可以并聯(lián)使用，但最好加均流電阻。不能串聯(lián)使用。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

IGBT能用MOS管代替嗎？

IGBT不能用MOS管代替。

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

mos管與三極管區(qū)分？

一、主體不同

1、MOS管：金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管。

2、三極管：半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。

二、作用不同

1、MOS管：管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

2、三極管：是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。三、特點(diǎn)不同

1、MOS管：MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

2、三極管：是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列有PNP和NPN兩種