光刻技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)？目前世界上的半導(dǎo)體基本都是用光刻技術(shù)生產(chǎn)的。光刻技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體的優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)效率高，產(chǎn)量大，可以大規(guī)模生產(chǎn)。缺點(diǎn)是生產(chǎn)設(shè)備昂貴，一條28nm的生產(chǎn)線需要投入幾百億！而且光刻技術(shù)生產(chǎn)芯片要

光刻技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)？

目前世界上的半導(dǎo)體基本都是用光刻技術(shù)生產(chǎn)的。光刻技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體的優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)效率高，產(chǎn)量大，可以大規(guī)模生產(chǎn)。缺點(diǎn)是生產(chǎn)設(shè)備昂貴，一條28nm的生產(chǎn)線需要投入幾百億！而且光刻技術(shù)生產(chǎn)芯片要消耗大量的能源！生產(chǎn)線越先進(jìn)，能耗越大！

半導(dǎo)體前道檢測設(shè)備的重要性？

量產(chǎn)前檢測對(duì)象為制程中的晶圓片，是檢測產(chǎn)品每一步制程后的制程參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)要求，檢查晶圓片表面是否存在影響良率的缺陷，以確保制程線良率控制在規(guī)定水平以上的物理和功能測試。

預(yù)痕跡檢測包括膜厚測量設(shè)備、OCD臨界尺寸測量、CD-S

ptc半導(dǎo)體鍋爐優(yōu)缺點(diǎn)？

優(yōu)勢:

1.鋁板更加致密，加熱速度快，熱效率高；

2、健康環(huán)保無需粘合劑粘合；

3、不氧化，使用壽命長；

4、水電分離，無水干燒不會(huì)損壞，更安全。

5、體積小不占空間，拆裝方便。

6.節(jié)能省電。

7、可以同時(shí)滿足取暖和熱水的需求。

缺點(diǎn):

1.故障率高；

2、發(fā)熱盤容易堵塞；

3、價(jià)格較高；

4.熱衰減相對(duì)較快。

sic二極管的優(yōu)缺點(diǎn)？

碳化硅二極管的優(yōu)勢

1.寬帶隙提高了工作溫度和可靠性。

寬帶隙材料可以提高器件的工作溫度。SiC的帶隙高達(dá)3.0eV，對(duì)應(yīng)的本征溫度高達(dá)800℃。即使是帶隙最窄的3C-SiC，其帶隙也在2.3eV左右，碳化硅作為成功器件使用時(shí)，其最高工作溫度可能超過600℃，而硅的帶隙為1.12eV，理論最高工作溫度為200℃。然而，硅功率器件的結(jié)溫高于150℃~175℃后，其可靠性和性能指標(biāo)明顯降低。

2.高擊穿場強(qiáng)提高了耐壓并減小了尺寸。

高電子擊穿場強(qiáng)導(dǎo)致半導(dǎo)體功率器件的擊穿電壓增加。同時(shí)，由于電子擊穿場強(qiáng)的增加，在增加雜質(zhì)摻雜濃度的情況下，可以減小碳化硅功率器件漂移區(qū)的寬帶，從而減小功率器件的尺寸。

缺點(diǎn)高導(dǎo)熱率提高了功率密度，增加了功耗。