p溝道場效應(yīng)管導(dǎo)通電壓？P溝道增強型Fs10h12r場效應(yīng)管參數(shù)？品牌:其他型號:S10H12R封裝:220批號:18F:MOS漏源電壓(Vdss):100漏電流(Id):120柵源電壓(Vgs):1

p溝道場效應(yīng)管導(dǎo)通電壓？

P溝道增強型F

s10h12r場效應(yīng)管參數(shù)？

品牌:其他

型號:S10H12R

封裝:220

批號:18

F:MOS

漏源電壓(Vdss):100

漏電流(Id):120

柵源電壓(Vgs):100

場效應(yīng)管的關(guān)斷條件？

當(dāng)向N溝道MOS F

60n60場效應(yīng)管功率多少？

60N60是IGBT管60A600V250W，一般用作焊機電路。IGBT管是MOS管(場效應(yīng)管)和雙極達林頓管的組合。普通場效應(yīng)晶體管只能在較弱的驅(qū)動電壓下工作，但由于其內(nèi)阻大、發(fā)熱快，很難長時間工作在高電壓、大電流狀態(tài)。

k1400場效應(yīng)管參數(shù)？

K1400 F:耐壓300V，電流7A，為N溝道MOS晶體管。

場效應(yīng)晶體管是一種壓控電流型半導(dǎo)體，通過改變外加電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制其電流。其特點是輸入電阻大，壓控電流大。

場效應(yīng)晶體管(F

irfp4668場效應(yīng)管參數(shù)？

Irfp4668是一種大功率場效應(yīng)晶體管，具有輸入阻抗高、頻率特性好、開關(guān)速度快的特點，廣泛應(yīng)用于各種功率放大電路中。

Irfp4668 FET參數(shù):

漏/源擊穿電壓:200 V。

柵極/源極擊穿電壓:30 V

漏極持續(xù)電流:130 A耗散功率:520 W

導(dǎo)通電阻:9.7米

工作溫度:-55℃ ~ 175℃

上升時間:105 ns

下降時間:74納秒

正向跨導(dǎo)(最小值):150 S

典型關(guān)閉延遲時間:64 ns

封裝:TO-247AC