三極管和MOS管，開關(guān)速度誰快呀？Mos晶體管(場效應(yīng)晶體管)導(dǎo)通電壓降低，導(dǎo)通電阻低，柵極驅(qū)動不需要電流，損耗低，驅(qū)動電路簡單，自帶保護(hù)二極管，熱阻好，適合大功率并聯(lián)，開關(guān)速度低，成本高。三極管開關(guān)

三極管和MOS管，開關(guān)速度誰快呀？

Mos晶體管(場效應(yīng)晶體管)導(dǎo)通電壓降低，導(dǎo)通電阻低，柵極驅(qū)動不需要電流，損耗低，驅(qū)動電路簡單，自帶保護(hù)二極管，熱阻好，適合大功率并聯(lián)，開關(guān)速度低，成本高。

三極管開關(guān)速度高，大三極管的ic可以做得很大，缺點(diǎn)是損耗大，基極驅(qū)動電流大，驅(qū)動復(fù)雜。

場效應(yīng)晶體管和三極管晶體管的比較:

1)場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，而二極管是電流控制元件；

2) FET之所以稱為單極器件，是因?yàn)樗枚鄶?shù)載流子導(dǎo)電，三極管之所以稱為雙極器件，是因?yàn)樗扔卸噍d流子又有少載流子導(dǎo)電。

3)場效應(yīng)管的靈活性比三極管好；

FET的制造工藝更適合集成電路。

Mosfet類似雙極三極管，電極對應(yīng)關(guān)系是bg，es，CD。由fet構(gòu)成的放大電路也類似于三極管放大電路。三極管放大電路的基極回路需要一個(gè)偏置電流(bias curr

ld貼片三極管性能參數(shù)？

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c3055三極管參數(shù)？

C3055三極管為PNPN四層三端器件，參數(shù)工作電壓36V，工作電流10A，額定功率18W。最大漏源電流:16A漏源擊穿電壓:600V它不僅要有良好的靜態(tài)特性，還要有良好的動態(tài)特性。

快速晶閘管的動態(tài)參數(shù)要求開通速度和開通擴(kuò)展速度快，反向恢復(fù)電荷少，關(guān)斷時(shí)間短，通態(tài)電流臨界上升率(dI/dt)高，關(guān)態(tài)電壓臨界上升率(dV/dt)高。