g40n60場效應管參數(shù)？G40n60是一種大功率場效應晶體管，主要用于各種跑步機、逆變器、焊機等。G40n60 F:的最大功耗為156W。漏源電壓(Uds): 600伏柵源電壓(Ugs): 30v。

g40n60場效應管參數(shù)？

G40n60是一種大功率場效應晶體管，主要用于各種跑步機、逆變器、焊機等。

G40n60 F:的最大功耗為156W。

漏源電壓(Uds): 600伏

柵源電壓(Ugs): 30v。

最大漏極電流(Id): 10a

上升時間(Tr): 69毫秒

輸出電容(Cd): 166 pf。

靜態(tài)漏源導通電阻(Rds): 0.72。

(Tj):最高工作溫度為150℃。

封裝:到3P

場效應管十大口訣？

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場效應管與雙極型晶體管有哪些不同？

場效應晶體管和雙極晶體管的比較

1.場效應晶體管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，當信號源的額定電流極小時，應選擇場效應晶體管。

2.F

2302場效應管的基礎知識？

一、場效應晶體管的工作原理

場效應晶體管(FET)是場效應晶體管的簡稱。一般的晶體管之所以稱為雙極型晶體管，是因為它們是由兩種極性的載流子導通的，即極性相反的多數(shù)載流子和少數(shù)載流子，而FET只由多數(shù)載流子導通，這與雙極型晶體管相反，也稱為單極型晶體管。它是一種高輸入電阻(108 ~ 109ω)、低噪聲、低功耗、大動態(tài)范圍的壓控半導體器件。、易集成、無二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)廣等特點，現(xiàn)已成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競爭者。

1、場效應管的分類

場效應管分為結型和絕緣柵型。結型場效應晶體管(JFET)因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應晶體管(JGFET)因其柵極與其他電極完全絕緣而得名。目前絕緣柵場效應晶體管中，應用最廣泛的是MOS場效應晶體管，簡稱MOS晶體管(金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET)。此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應晶體管，以及最近剛出的πMOS場效應晶體管和VMOS功率模塊。

根據(jù)溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型又分為n溝道型和p溝道型。根據(jù)導通模式，場效應晶體管可分為耗盡型和增強型。結型場效應晶體管都是耗盡型，絕緣柵場效應晶體管都是耗盡型和增強型。