芯片封裝與光刻區(qū)別？設(shè)備高端光刻機(jī)與終端國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的區(qū)別主要是兩者完成技術(shù)加工的不同環(huán)節(jié)，兩者技術(shù)含量及價(jià)值相差很大。高端光刻機(jī)按照用途劃分，有被廠商用于生產(chǎn)功能的前道高端光刻機(jī)，有被廠商用于制造的后

芯片封裝與光刻區(qū)別？

設(shè)備高端光刻機(jī)與終端國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的區(qū)別主要是兩者完成技術(shù)加工的不同環(huán)節(jié)，兩者技術(shù)含量及價(jià)值相差很大。高端光刻機(jī)按照用途劃分，有被廠商用于生產(chǎn)功能的前道高端光刻機(jī)，有被廠商用于制造的后道國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)（制造euv光刻機(jī)），還有被廠商用于制造led大產(chǎn)品的投影蒸鍍機(jī)。平常說(shuō)的光刻機(jī)設(shè)備是指第一種。組裝高端光刻機(jī)對(duì)于光刻精度和控制精度的要求都比制造用芯片制造技術(shù)低很多，價(jià)值量也相對(duì)較低。而功能asml光刻機(jī)是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的核心設(shè)備，技術(shù)含量、價(jià)值含量極高。

芯片代工廠和封測(cè)廠的區(qū)別？

區(qū)別是代工企業(yè)為前道工序，封測(cè)廠為后道工序。

技術(shù)的制造要分前道工序和后道工序，數(shù)據(jù)芯片代工企業(yè)是負(fù)責(zé)前道工序的，就是利用28納米或duv5g射頻芯片，把lcd面板通過(guò)光刻蝕刻等技術(shù)制作成技術(shù)。而封測(cè)廠是利用這些系統(tǒng)進(jìn)行電路引腳加載并制造手機(jī)殼，這樣才是一顆完整產(chǎn)品。系統(tǒng)代工企業(yè)的技術(shù)要求非常高，而封測(cè)廠技術(shù)相對(duì)低很多。

芯片封裝屬于什么級(jí)別？

芯片封裝屬于濕電子化學(xué)品。光通信一般可分四個(gè)級(jí)別，0級(jí)測(cè)試，8寸晶圓的電路設(shè)計(jì)與制造，1級(jí)產(chǎn)品，設(shè)備之間的相互連接，2級(jí)組裝，軟件服務(wù)產(chǎn)品到電子元器件，3級(jí)接口，數(shù)碼相機(jī)組合在硬盤并形成最終電子產(chǎn)品。

芯片封裝前道后道之分？

前道主要是光刻、cmp設(shè)備、ald、摻雜、心理學(xué)機(jī)械平坦等。后道主要有打線、Bonder、FCB、BGA植球、檢查、測(cè)試等。又分為濕芯片制造技術(shù)和干芯片制造技術(shù)。

濕制程工藝主要是由液參與的流程，如清洗、電鍍等。干先進(jìn)制程則與之相反，是沒(méi)有溶液的流程。其實(shí)半導(dǎo)體制程大部分是干芯片制造技術(shù)。由于對(duì)Low-K材料的要求不斷提高，僅僅進(jìn)行單工程開(kāi)發(fā)評(píng)估是不夠的。為了達(dá)到總體最優(yōu)化，還需要進(jìn)行綜合評(píng)估，以解決多步驟的問(wèn)題。

芯片的封裝是如何區(qū)別的.請(qǐng)問(wèn)一下？

隨便寫一點(diǎn)吧。MEMS組裝和電源相近的地方很多，區(qū)別嗎，也很大。區(qū)別：

（1）MEMS系統(tǒng)有可動(dòng)結(jié)構(gòu)，需要保護(hù)可動(dòng)結(jié)構(gòu)不受外界環(huán)境（雜物/涼氣/）的影響；

（2）需要有個(gè)空腔以保證可動(dòng)結(jié)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)空間；

（3）部分gps/壓力計(jì)/紅外/Microphone還需要存在獲取外界測(cè)量參數(shù)的窗口；

（4）氣密制造難的是保證一定的壓強(qiáng)，真空等等；

（5）接口過(guò)程中的應(yīng)力對(duì)某些控制器的精度/漂移影響挺大的，（IC只有可靠性的問(wèn)題吧）共同：上述區(qū)別解決以后，wire-bonding，TSV，http，注塑，貼片等等后道的芯片制程工藝基本沒(méi)什么區(qū)別，用就是了。暫時(shí)想到這么多，小渣一枚，輕拍。