MOS管是什么？MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通常簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。與普通雙極晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、易于集成等特點(diǎn)，得到了越來(lái)

MOS管是什么？

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通常簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。與普通雙極晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、易于集成等特點(diǎn)，得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有很多種，主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，兩者又分為n溝道和p溝道。

mos管是什么原理，起什么作用的？

MOS晶體管的原理:

它使用VGS來(lái)控制 "感應(yīng)電荷 "來(lái)改變由這些 "感應(yīng)電荷 "進(jìn)而達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造燈管的時(shí)候，大量的正離子通過(guò)工藝出現(xiàn)在絕緣層中，所以可以在界面的另一側(cè)感應(yīng)出更多的負(fù)電荷。這些負(fù)電荷連接高滲雜質(zhì)的N區(qū)，形成導(dǎo)電通道。即使在VGS0，也有很大的漏極電流ID。當(dāng)柵電壓變化時(shí)，溝道中感應(yīng)的電荷量也發(fā)生變化，導(dǎo)電溝道的寬度也發(fā)生變化，因此漏電流ID隨著柵電壓的變化而變化。

功能:

1.它可以應(yīng)用于放大器電路。由于MOS晶體管放大器的輸入阻抗很高，耦合電容可以很小，不需要電解電容。

2.非常高的輸入阻抗非常適合阻抗變換。它常用于多級(jí)放大器輸入級(jí)的阻抗變換。

3.它可以用作可變電阻。

4.它可以方便地用作恒流源。

5、可作為電子開(kāi)關(guān)使用。

簡(jiǎn)介:

Mos晶體管，即集成電路中的絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；蛘呓饘?絕緣體-半導(dǎo)體。MOS晶體管的源漏可以切換，都是在P型背柵中形成的N型區(qū)。在大多數(shù)情況下，兩個(gè)區(qū)域是相同的，即使兩端切換，也不會(huì)影響器件的性能。這種器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

結(jié)構(gòu)特征:

MOS晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。導(dǎo)通時(shí)，只有一個(gè)極性的載流子(多極)參與導(dǎo)通，是單極晶體管。導(dǎo)通機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)有很大不同。小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷蟛糠止β蔒OSFET采用縱向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)，也稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和電流能力。

n溝道m(xù)os管

p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管

它的主要特點(diǎn)是在金屬柵和溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有較高的輸入電阻。當(dāng)電子管導(dǎo)通時(shí)，在兩個(gè)高濃度N擴(kuò)散區(qū)之間形成一個(gè)N型導(dǎo)電溝道。N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管必須在柵極上正向偏置，只有當(dāng)柵源電壓大于閾值電壓時(shí)，才會(huì)有導(dǎo)通溝道產(chǎn)生的N溝道MOS晶體管。n溝道耗盡型MOS晶體管是指沒(méi)有柵極的晶體管。當(dāng)電壓(柵源電壓為零)時(shí)，有一個(gè)導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的N溝道MOS管。