請教硬盤和閃存的差別？硬盤和閃存的區(qū)別主要體現(xiàn)在使用壽命不同，輸出接口不同，性能不同，容量不同。1.使用壽命不同：硬盤的使用壽命高于閃存，因為閃存是有使用壽命的，比如100萬次寫入。2.輸出接口不同：

請教硬盤和閃存的差別？

硬盤和閃存的區(qū)別主要體現(xiàn)在使用壽命不同，輸出接口不同，性能不同，容量不同。

1.使用壽命不同：硬盤的使用壽命高于閃存，因為閃存是有使用壽命的，比如100萬次寫入。

2.輸出接口不同：閃存通常的輸出接口是USB，SSD是sata接口或者其他接口，比如SATA SSD、msata SSD、M.2 SSD等。

3.性能不同：性能差別很大。普通閃存產(chǎn)品一次只能讀或?qū)懸粋€操作，因為閃存顆粒的電壓變化受主控影響，通常只有一個；SSD的主控比較復雜，可以同時控制不同的電壓變化。閱讀和寫作幾乎沒有影響，可以同時進行。

4.容量不同：閃存通常是單個閃存區(qū)組，偶爾兩個區(qū)組作為雙通道，SSD是多區(qū)組，所以閃存通常容量較小，而SSD可以從容量比較大的開始，比如256G SSD。

硬盤存儲和閃存的原理和區(qū)別是什么？

1.閃存的存儲原理：

(1)閃存在由浮柵晶體管組成的存儲單元陣列中存儲數(shù)據(jù)。在單層單元(SLC)器件中，每個單元僅存儲1位信息。

通過控制各種電荷值，多級單元(MLC)器件可以在每個單元中存儲多于1位的數(shù)據(jù)。

(2)除了晶體管具有兩個柵極而不是一個柵極之外，閃存的每個存儲單元類似于標準MOSFET。頂部是控制柵極(CG)，就像其他MOS晶體管一樣。但是在它下面是通過氧化層與周圍環(huán)境絕緣的浮柵(FG)。該FG位于CG和MOSFET通道之間。因為這個FG在電學上獨立于絕緣層，所以進入的電子將被捕獲在內(nèi)部。

正常情況下，多年后電荷不會逃逸。

當FG捕捉到電荷時，它部分地屏蔽了來自CG的電場，并改變了該電池的閥電壓(VT)。在讀出期間。當電壓達到CG時，MOSFET溝道將導通或保持絕緣。

這取決于單元的VT(并且單元的VT由FG上的電荷控制)。

該電流流經(jīng)MOSFET通道，以二進制代碼的形式讀取和再現(xiàn)存儲的數(shù)據(jù)。

在每個單元存儲超過1位數(shù)據(jù)的MLC器件中，為了更精確地測量FG中的電荷水平，通過感應電流的量(而不是僅僅存在或不存在)來實現(xiàn)。

(3)邏輯上，單層NORFlash單元在默認狀態(tài)下代表二進制碼中的“1”值，因為當用特定的電壓值控制柵極時，電流會流過溝道。

通過下面的過程，可以將NORFlash單元設置為二進制代碼中的“0”值。2.硬盤的存儲原理：

(1)硬盤是一種使用磁介質(zhì)的數(shù)據(jù)存儲設備，數(shù)據(jù)存儲在密封在干凈的硬盤驅(qū)動器腔內(nèi)的若干個磁盤上。

一般來說，這些磁盤是通過在基底表面涂覆磁介質(zhì)而形成的。在磁盤的每一面，以一定磁密度為旋轉(zhuǎn)軸的幾個同心圓劃分成磁道，每個磁道又劃分成幾個扇區(qū)，數(shù)據(jù)按扇區(qū)存儲在硬盤上。

每邊對應有一個讀寫頭，所以不同頭相同位置的所有磁道構成所謂的柱面。

傳統(tǒng)的硬盤讀寫是通過柱面、磁頭和扇區(qū)進行尋址的(CHS尋址)。

硬盤通電后，一直高速旋轉(zhuǎn)。頭臂上的磁頭懸浮在磁盤表面，通過步進電機可以在不同的柱面之間移動，對不同的柱面進行讀寫。

因此，如果硬盤在通電時劇烈震蕩，磁盤表面容易被刮傷，磁頭也容易損壞，這將給磁盤上存儲的數(shù)據(jù)帶來災難性的后果。

(2)硬盤的第一個扇區(qū)(磁道0，磁頭1扇區(qū))保留為主引導扇區(qū)。

主引導區(qū)主要有兩個內(nèi)容：主引導記錄和硬盤分區(qū)表。

主引導記錄是一段程序代碼，主要用于引導安裝在硬盤上的操作系統(tǒng)。硬盤分區(qū)表存儲硬盤的分區(qū)信息。

計算機啟動時會讀取這個扇區(qū)的數(shù)據(jù)，判斷其合法性(扇區(qū)最后兩個字節(jié)是0x55AA還是0xAA55)。如果合法，它將跳轉(zhuǎn)執(zhí)行該扇區(qū)的第一條指令。

所以硬盤的主引導區(qū)往往是病毒攻擊的對象，被篡改甚至破壞?？梢龑酥荆?x80是可引導分區(qū)類型標志；0表示未知；1 FAT12；4是FAT16；5分區(qū)進行擴展等。