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ddr2內(nèi)存價(jià)格(ddr2(800內(nèi)存買(mǎi)哪個(gè)牌子?)

ddr2主板支持多大內(nèi)存?DDR 2主板支持的內(nèi)存在16g左右,主要由兩個(gè)方面決定。一個(gè)是DDR 2,單個(gè)內(nèi)存容量一般最高8g。兩個(gè)內(nèi)存插槽的話,最高可以達(dá)到16g。另一個(gè)原因是操作系統(tǒng)DDR

ddr2內(nèi)存價(jià)格(ddr2(800內(nèi)存買(mǎi)哪個(gè)牌子?)

ddr2主板支持多大內(nèi)存?

DDR 2主板支持的內(nèi)存在16g左右,主要由兩個(gè)方面決定。一個(gè)是DDR 2,單個(gè)內(nèi)存容量一般最高8g。兩個(gè)內(nèi)存插槽的話,最高可以達(dá)到16g。另一個(gè)原因是操作系統(tǒng)DDR 2內(nèi)存一般適用于WINDOWS XP或WINDOWS 7,兩個(gè)操作系統(tǒng)最多只能支持16g。

ddr2內(nèi)存條4g為什么很少見(jiàn)?

原因是很少有主板能直接支持4G ddr2。大多數(shù)主板在單個(gè)內(nèi)存插槽中最多只能支持2G內(nèi)存。所以4G ddr2內(nèi)存不適用,所以世界罕見(jiàn)。

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當(dāng)時(shí)對(duì)技術(shù)和存儲(chǔ)速度的要求都不高。第二代內(nèi)存,大部分是32尾系統(tǒng),同時(shí)系統(tǒng)運(yùn)算速度不高,主板可能不支持?,F(xiàn)在技術(shù)已經(jīng)很成熟了,但是二代的內(nèi)存速度根本不足以支撐大規(guī)模的數(shù)據(jù)運(yùn)算,只能成為電子垃圾。

ddr2 800內(nèi)存買(mǎi)哪個(gè)牌子?

金士頓2GB DDR2 800是一個(gè)DDR2內(nèi)存類型的桌面內(nèi)存。

中文名

金士頓2GB DDR2 800

適用類型

桌面

內(nèi)存儲(chǔ)器容量

2GB

容量描述

單個(gè)(2GB)

重要參數(shù)

記憶類型:DDR2

內(nèi)存頻率:800MHz

插槽類型:DIMM

CL延遲:6

針數(shù):240針

內(nèi)存檢查:ECC

傳輸標(biāo)準(zhǔn):PC2-6400

工作電壓:1.8V

使用標(biāo)有“Kingston”的原始內(nèi)存。

幾年后,DDR2的內(nèi)存條還有沒(méi)有的賣(mài)?

現(xiàn)在DDR2 800的內(nèi)存條很難買(mǎi)到,幾乎都是二手的。

2G比DDR3 4G貴。再過(guò)兩年,肯定不會(huì)再有了,因?yàn)橐呀?jīng)更新兩代了。如果你在考慮更新電腦,最合適的解決方案是徹底更換,因?yàn)橹靼寮軜?gòu)不同。

ddr2比ddr3差多少?

Ddr2比ddr3內(nèi)存條落后整整一代,具體體現(xiàn)在內(nèi)容上。一個(gè)是它們的主頻將近翻倍,導(dǎo)致運(yùn)算速度和讀取速度相差至少兩倍。同時(shí),DDR 2是比DDR 3內(nèi)存集成度更低的一代,也就是同樣大小的內(nèi)存芯片,其集成度至少是DDR 3的兩倍。當(dāng)然,它們的形狀也不同。

ddr2內(nèi)存條最大容量?

最大DDR2內(nèi)存只有4G,但大多數(shù)第二代主板不支持單個(gè)4GB內(nèi)存。能裝多少片取決于你的主板支持多少片,最多能支持多少GB內(nèi)存。

DDR2/DDR II(雙倍數(shù)據(jù)速率2) SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))開(kāi)發(fā)的新一代存儲(chǔ)器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的區(qū)別在于,雖然采用了時(shí)鐘上升/下降沿?cái)?shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但DDR 2內(nèi)存的預(yù)讀能力是上一代DDR內(nèi)存的兩倍(即4-4bit數(shù)據(jù)讀取和預(yù)取)。換句話說(shuō),DDR2存儲(chǔ)器的每個(gè)時(shí)鐘可以以4倍于外部總線的速度讀寫(xiě)數(shù)據(jù),并以4倍于內(nèi)部控制總線的速度運(yùn)行。

由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定DDR2存儲(chǔ)器全部在FBGA封裝,與目前廣泛使用的TSOP/TSOP-II封裝不同,F(xiàn)BGA封裝可以提供更好的電氣性能和散熱,為DDR2存儲(chǔ)器的穩(wěn)定工作和未來(lái)的頻率發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

回顧DDR的發(fā)展歷程,從第一代DDR200通過(guò)DDR266、DDR333應(yīng)用于個(gè)人電腦到今天的雙通道DDR400技術(shù),第一代DDR的發(fā)展已經(jīng)到了技術(shù)極限,常規(guī)的方法很難提高內(nèi)存的工作速度。隨著英特爾最新處理器技術(shù)的發(fā)展,前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求越來(lái)越高,擁有更高、更穩(wěn)定工作頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。