鍺與硅，做半導(dǎo)體材料，各自的優(yōu)缺點(diǎn)？第一，硅：作為應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料，它有許多優(yōu)點(diǎn)。1）地球硅儲(chǔ)量大，原材料成本低。2）經(jīng)過(guò)60年的發(fā)展，硅提純技術(shù)已達(dá)到人類的最高水平。3）Si/SiO2界面可以

鍺與硅，做半導(dǎo)體材料，各自的優(yōu)缺點(diǎn)？

第一，硅：作為應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料，它有許多優(yōu)點(diǎn)。

1）地球硅儲(chǔ)量大，原材料成本低。

2）經(jīng)過(guò)60年的發(fā)展，硅提純技術(shù)已達(dá)到人類的最高水平。

3）Si/SiO2界面可以通過(guò)氧化獲得，這是完美的。后退火可獲得理想的界面。

4）關(guān)于摻雜和擴(kuò)散有很多經(jīng)驗(yàn)。

缺點(diǎn)：硅本身的電子和空穴遷移速度很難滿足未來(lái)更高性能半導(dǎo)體器件的需求。由于氧化硅的介電常數(shù)較低，器件小型化后將面臨介質(zhì)材料擊穿的困境。硅是一種間接帶隙半導(dǎo)體，發(fā)光效率低。

------------------------------------鍺：作為第一個(gè)被研究的半導(dǎo)體材料，它給我們帶來(lái)了兩個(gè)諾貝爾獎(jiǎng)，第一個(gè)晶體管和第一個(gè)集成電路。鍺的優(yōu)點(diǎn)是：1）鍺的空穴遷移率是硅的4倍，電子遷移率是硅的2倍。

2）窄帶隙有利于低壓器件的發(fā)展。

3）施主/受主的活化溫度遠(yuǎn)低于硅，這有助于節(jié)省熱預(yù)算。

4）玻爾激子半徑小有助于提高其場(chǎng)發(fā)射性能。

5）小的帶隙有助于結(jié)合介質(zhì)材料和減少泄漏電流。

缺點(diǎn)也很明顯：鍺是一種比較活躍的材料，它與介電材料的界面容易發(fā)生氧化還原反應(yīng)，產(chǎn)生更多的缺陷，影響材料的性能；由于鍺的儲(chǔ)量較小，不宜直接用鍺作為襯底，因此，我們必須通過(guò)GeOI（絕緣體上鍺）技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)未來(lái)的器件。這項(xiàng)技術(shù)有一些困難，但我們相信，通過(guò)學(xué)習(xí)硅材料的經(jīng)驗(yàn)，它將在不久的將來(lái)被克服。

硫酸鎂與焦炭需放置在石英試管中加熱的原因是什么？

A.試管本身含有0氧化硅，她在高溫下能與焦炭反應(yīng)，所以A是錯(cuò)誤的；I.二氧化碳和鈉在一定條件下能反應(yīng)得到金剛石和碳酸鈉，七種氧化劑和還原劑的用量之比是X:4，所以我是錯(cuò)誤的；C.4（易水解）的4ic被水解成產(chǎn)生硅酸和氯化氫，易與氨反應(yīng)生成氯化銨固體，故C是正確的；D.從GeO2中提取Ge的價(jià)態(tài)漲落是氧化還原反應(yīng)，故D是錯(cuò)誤的。所以選擇了C