靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器的定義是什么？根據(jù)生產(chǎn)過程，內(nèi)存分為靜態(tài)內(nèi)存和動態(tài)內(nèi)存。靜態(tài)存儲器（SRAM）具有讀寫速度快、生產(chǎn)成本高等優(yōu)點，主要用于小容量的高速緩存。動態(tài)存儲器（DRAM）：讀寫速度慢，集成

靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器的定義是什么？

根據(jù)生產(chǎn)過程，內(nèi)存分為靜態(tài)內(nèi)存和動態(tài)內(nèi)存。靜態(tài)存儲器（SRAM）具有讀寫速度快、生產(chǎn)成本高等優(yōu)點，主要用于小容量的高速緩存。動態(tài)存儲器（DRAM）：讀寫速度慢，集成度高，生產(chǎn)成本低，主要用于大容量主存儲器。靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器的主要性能比較如下表所示：靜態(tài)和動態(tài)存儲器芯片特性比較sramdram存儲器信息觸發(fā)電容破壞性讀取不需要刷新，不需要同時發(fā)送行地址和列地址兩次發(fā)送，運行速度快、速度慢、集成度低、熱值大、存儲成本高、動態(tài)內(nèi)存周期性刷新低：當不進行讀寫操作時，每個單元的DRAM內(nèi)存都處于斷電狀態(tài)。由于存在泄漏，存儲在電容器CS上的電荷將慢慢泄漏。因此，必須定期補充，這就是所謂的刷新操作

靜態(tài)存儲器是指依靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個穩(wěn)定狀態(tài)來存儲信息的存儲器。雙穩(wěn)態(tài)電路是一種有源器件，需要電源才能工作。只要電源正常，就可以長期穩(wěn)定地保存信息，所以稱為靜態(tài)存儲器。如果電源關(guān)閉，信息將丟失，這屬于易失性存儲器，即volatile。動態(tài)存儲器是指在特定功能或應(yīng)用軟件之間共享的存儲器。如果一個或兩個應(yīng)用程序占用了所有的內(nèi)存空間，就不可能為其他應(yīng)用程序分配內(nèi)存空間。存儲器控制電路需要根據(jù)一定的時間段刷新存儲器以保持數(shù)據(jù)存儲。