燒錄NAND Flash程序時校驗為什么提示出錯？NAND閃存不同于普通的閃存結(jié)構(gòu)。由于NAND flash的特點，位反轉(zhuǎn)時有發(fā)生，所以燒錄時要注意ECC。位反轉(zhuǎn)是指NAND閃存中位的變化，即從1到0

燒錄NAND Flash程序時校驗為什么提示出錯？

NAND閃存不同于普通的閃存結(jié)構(gòu)。由于NAND flash的特點，位反轉(zhuǎn)時有發(fā)生，所以燒錄時要注意ECC。位反轉(zhuǎn)是指NAND閃存中位的變化，即從1到0或從0到1。例如，很容易反轉(zhuǎn)32GBIT和2GBIT的容量。位反轉(zhuǎn)產(chǎn)生的原因有幾個：漂移效應：漂移效應是指NAND閃存中單元的電壓值變化緩慢，與初始值不同。編程干擾引起的錯誤：這種現(xiàn)象有時被稱為過度編程效應。對某一頁的編程操作，即寫操作，會導致其他不相關頁的位跳變。讀操作干擾引起的錯誤：這種影響是當讀一頁時，相應位的數(shù)據(jù)永久地改變，即NAND flash上的位的值改變。T如果在燒錄過程中沒有設置相應的ECC，則在驗證過程中發(fā)現(xiàn)NAND flash中的數(shù)據(jù)與原始數(shù)據(jù)不同，燒錄會提示錯誤。解決方法是在燃燒前設置ECC。例如，smartpro6000f plus就是這樣設置的，如下圖所示。