粉絲達(dá)到1000為什么沒有變成創(chuàng)作中心？是沒有先申請。四月十幾號。就出了一個(gè)活動。創(chuàng)作中心和創(chuàng)作者計(jì)劃雖然降底了剛剛開放的門檻，正向1000以上粉絲的作者剛開放了，但看頭條的詳細(xì)第一考網(wǎng)，開放是波動期

粉絲達(dá)到1000為什么沒有變成創(chuàng)作中心？

是沒有先申請。四月十幾號。就出了一個(gè)活動。

創(chuàng)作中心和創(chuàng)作者計(jì)劃雖然降底了剛剛開放的門檻，正向1000以上粉絲的作者剛開放了，但看頭條的詳細(xì)第一考網(wǎng)，開放是波動期的，目前開放的的是2月19日之前粉絲也達(dá)到1000人以上的作者。

從形式上看幾家自媒體平臺的一系列動作，一眼就可以看出平臺間的競爭已逐漸呈現(xiàn)激烈，都期望自己能攻占優(yōu)質(zhì)作者資源，頭條和百家號出去必然增加了“微頭條”“百家動態(tài)”那樣更具高社交屬性板塊的扶持，新聞頭條開放收益，百家號給予流量支持和商品掛載功能。而搜狐號前兩天在知識分享方面開始加大投入。

所以個(gè)人懷疑自媒體現(xiàn)在仍能算是春天，也有比較大的發(fā)展空間！

我是@眼底的懷念。比較喜歡請查哈我吧

要通過認(rèn)證。

很有可能土豆網(wǎng)太少優(yōu)質(zhì)，還沒有至少那個(gè)標(biāo)準(zhǔn)

不很清楚

他沒加入申請啊

一直都想做創(chuàng)作者，但沒有機(jī)會，今天那就是機(jī)會的開始。

昨天官方才就開始安慰和鼓勵千人粉絲量，擴(kuò)大收益鼓勵。

我是一名寶媽，玩這個(gè)那是記錄一些寶寶和生活中的一些瑣碎，始終都覺著像朋友圈完全不一樣，可能是我太落后挨打了吧

emmc閃存真的有那么差嗎？

UFS2.0、eMMC5.1、LPDDR4這些名詞討論到的很多，大部分網(wǎng)友還根本不清楚這些名詞也不知是什么意思、對手機(jī)又有哪些影響。在所了解UFS2.0、eMMC5.1、LPDDR4這些名詞之前，我們有必要搞清內(nèi)存與閃存的區(qū)別。1.內(nèi)存首先內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU并且溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中接受的，所以內(nèi)存的性能對計(jì)算機(jī)的影響更加大。而手機(jī)的RAM即我們常說的內(nèi)存，是RandomAccessMemory的縮寫，即必掉存儲器，是與CPU直接相互交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存(內(nèi)存)。在工作狀態(tài)時(shí)可以不隨機(jī)讀寫數(shù)據(jù)，突然斷電以后會全部丟失數(shù)據(jù)?，F(xiàn)在市場上主流的智能手機(jī)好象按結(jié)構(gòu)2G或是4G的運(yùn)行內(nèi)存，肯定也有些旗艦機(jī)型區(qū)分了6G的運(yùn)行內(nèi)存。在PC平臺，內(nèi)存有過了SIMM、EDO DRAM、SDRAM、Rambus DRAM、DDR的發(fā)展，到如今普及到DDR4內(nèi)存，而手機(jī)上區(qū)分的LPDDRRAM是“更低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存”的縮寫，與桌面平臺的DDR4內(nèi)存相比較，向大移動平臺的LPDDR4，其還能夠在帶來等效的性能(速度)的同時(shí)，更加注重更少的能源消耗。2.閃存快閃表演存儲器（英語：flashmemory），是一種電子式可清理程序化只讀存儲器的形式，不允許在操作中被三次擦或?qū)懙拇鎯ζ?。這種科技要注意主要用于就像性數(shù)據(jù)存儲，以及在電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間收集傳輸數(shù)據(jù)，如儲存卡與U盤。閃存是舛岡富士雄在1984年于東芝公司工作時(shí)發(fā)明。當(dāng)時(shí)，Intel看見了了這項(xiàng)先發(fā)明的巨大潛力，并于1988年很快推出第一款商業(yè)性的NOR Flash芯片。后來，東芝在1989年的國際氣態(tài)電路研討會（ISSCC）上又首頁了NAND Flash。NAND Flash本身較快的抹寫時(shí)間，而且每個(gè)存儲單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較于NOR Flash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。另外它的可抹殺次數(shù)也高出NOR Flash十倍。值得去愛一提的是，如今廣泛的應(yīng)用于PC上的SSD和手機(jī)的ROM，本質(zhì)上是一家人，是NAND閃存。3.eMMCeMMC的全稱為“embeddedMultiMediaCard”，即嵌入式的多媒體信息存儲卡。，eMMC是在NAND閃存芯片的基礎(chǔ)上，增加集成主板了主控制器，并將二者“穿越小說合集”標(biāo)準(zhǔn)封裝成一顆ic器件芯片，進(jìn)而轉(zhuǎn)弱減少多芯片的空間占用和布線難度問題，是指導(dǎo)移動設(shè)備瘦身的不二法門。eMMC的速度取決于你總線接口。目前，eMMC的總線接口主要以eMMC4.4、eMMC4.5、eMMC5.0（市場通吃）、eMMC5.1為主兼顧，它們的“理論帶寬”各為104MB/s、200MB/s、400MB/s和600MB/s，看起來好像還還好。請?zhí)貏e注意，左右吧數(shù)據(jù)僅僅理論值，eMMC在實(shí)際應(yīng)用中的速度會大大打折扣。以專門配置eMMC5.0的手機(jī)為例（如魅族MX5），它們實(shí)際中測量的讀取速度只有那180MB/s左右。4.UFSUFS的全稱是Universal Flash Storage，也就是通用閃存存儲，這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)唯一一個(gè)出現(xiàn)時(shí)間是2011年2月，當(dāng)然了那個(gè)時(shí)候的UFS1.1速度不算很快，只能300MB/s。而當(dāng)時(shí)的eMMC還在發(fā)展，在加上成本和兼容性問題，UFS1.1根本不會通過廣泛教育的普及而結(jié)果匿跡了。而后，同盟電子設(shè)備工程協(xié)會JEDEC首頁了全新的USF2.0標(biāo)準(zhǔn)，相比之前的標(biāo)準(zhǔn)，全新的USF2.0有兩個(gè)版本，其中UFS2.0HS-G2的理論帶寬為5.8Gbps，也就是太約740MB/s，更急速的UFS2.0HS-G3的理論帶寬更是至少了11.6Gbps，也就是約1.5GB/s，這個(gè)速度甚至連比部分SSD還得快，完全是目前快的話的eMMC5.X的一共2.5倍之多。總結(jié)歸納出聲就是，UFS不管在速度肯定性能我還是功耗上都比eMMC強(qiáng)了很多，但相對應(yīng)的成本也會比eMMC更貴。去年3月，JEDEC又首頁了UFS 2.1。它是UFS2.0的迭代版，對早期的版本并且了部分改進(jìn)，進(jìn)一步裝備強(qiáng)化它的優(yōu)勢。UFS 2.1的讀取性能遠(yuǎn)超過UFS2.0一倍，而寫入文件性能也要快了不少。DDR/LPDDRLPDDR全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一種，又稱做mDDR（Mobile DDR SDRAM）,中文直譯是更低功耗護(hù)體數(shù)據(jù)比率，也就是實(shí)現(xiàn)方法低功耗委托的內(nèi)存同其他設(shè)備的數(shù)據(jù)交換標(biāo)準(zhǔn)，以低功耗和小體積聞名，專門主要用于移動式電子產(chǎn)品。簡單理解，越先去的技術(shù)，速度越快，可以體驗(yàn)越好。當(dāng)然了你能否感覺得到換?。看蟾盼沂且部梢缘?。

上面我是粘帖的，批駁謠言。當(dāng)然eMMC和ufs差別是那巨大的。一，接口不同，eMMC是并行接口，ufs是串行接口。二，帶寬差別，ufs比eMMC帶寬大眾多。三，傳輸速度不同，ufs速度是幾個(gè)G/S,eMMC速度是幾百M(fèi)/S，有5，6倍的差別。這些差別不是什么某為優(yōu)化優(yōu)化就能能解決的。四，ufs是全雙工，eMMC是半雙工，也就是ufs可以著邊可以上傳，一旁下傳，而eMMC不能。有價(jià)格完全不同，ufs比eMMC貴挺多。(非常感謝“談起動物”“百家號”)