碳化硅材料厚度的標(biāo)準(zhǔn)？半導(dǎo)體材料碳化硅晶體切割厚度要求:使用多線切割設(shè)備將碳化硅晶體切割成厚度不超過1毫米的薄片碳化硅是耐火材料的重要原料之一。在耐火材料的生產(chǎn)過程中，碳化硅的質(zhì)量是碳素耐火材料性能的

碳化硅材料厚度的標(biāo)準(zhǔn)？

半導(dǎo)體材料碳化硅晶體切割厚度要求:使用多線切割設(shè)備將碳化硅晶體切割成厚度不超過1毫米的薄片

碳化硅是耐火材料的重要原料之一。在耐火材料的生產(chǎn)過程中，碳化硅的質(zhì)量是碳素耐火材料性能的關(guān)鍵，因此不可忽視。以下是碳耐火材料 碳化硅的技術(shù)要求:

美國國家標(biāo)準(zhǔn)GB2477-83對磨料粒度及其組成作了詳細(xì)的規(guī)定。碳化硅磨料也應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)的要求。其粒度按大小分為41個(gè)數(shù)，分別記為4#、5#、6#、7#、10#、12#、14#、16#、20#、22#、24#、30#、36#、40#、46#、54#和60。

碳化硅微粉的主要用途？

用于3-12英寸單晶硅、多晶硅、砷化鉀和應(yīng)時(shí)晶體的線切割。是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)的工程加工材料。碳化硅的主要分析檢測方法:碳化硅中的硅含量決定了碳化硅的硬度。碳化硅的顆粒大小對線切割的影響很大，但最重要的是碳化硅的顆粒形狀。由于碳化硅在線切割過程中處于自由狀態(tài)，切割顆粒的形狀變化對切割效率和切割質(zhì)量有重要影響。

檢測方法:硅的含量需要原子吸收檢測(檢測效率高，數(shù)值準(zhǔn)確)。碳化硅的顆粒尺寸需要電阻式顆粒分析儀(高效)。需要Reith RA200顆粒分析儀來檢測碳化硅的顆粒形狀(顆粒形狀系數(shù)的圓度可以準(zhǔn)確分析)