筆記本不支持ddr3內(nèi)存條？因?yàn)閮?nèi)存模塊與內(nèi)存模塊插槽匹配。目前內(nèi)存芯片已經(jīng)到了DDR3這一代。在此之前，有DDR2和DDR1內(nèi)存芯片，DDR1內(nèi)存芯片早已被淘汰。市場(chǎng)上的一些筆記本電腦支持DDR2和

筆記本不支持ddr3內(nèi)存條？

因?yàn)閮?nèi)存模塊與內(nèi)存模塊插槽匹配。目前內(nèi)存芯片已經(jīng)到了DDR3這一代。在此之前，有DDR2和DDR1內(nèi)存芯片，DDR1內(nèi)存芯片早已被淘汰。市場(chǎng)上的一些筆記本電腦支持DDR2和DDR3內(nèi)存模塊。不過(guò)一般不建議混用這兩種內(nèi)存條。雖然主板上有兩種插槽，但當(dāng)使用一種類型的內(nèi)存模塊時(shí)，建議卸下另一種。

內(nèi)存條怎么區(qū)分ddr3和4？

內(nèi)存芯片可以區(qū)分ddr3和DDR 4，如下所示

DDR4內(nèi)存有284個(gè)金手指觸點(diǎn)，每個(gè)觸點(diǎn)的間距只有0.85mm(DDR 3內(nèi)存有240個(gè)金手指觸點(diǎn)，間距1mm)。因?yàn)檫@個(gè)變化，DDR4的內(nèi)存金手指部分也被設(shè)計(jì)成了中間略突出，邊緣較短的形狀，中間的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)之間是平滑的曲線過(guò)渡。DDR4模塊上卡插槽的位置不同于DDR3模塊上卡插槽的位置。兩者的卡槽都位于插入側(cè)，但DDR4卡槽的位置略有不同，以防止模塊安裝在不兼容的主板或平臺(tái)上。

內(nèi)存條怎么區(qū)分ddr3和4？

首先在外觀方面，DDR3和DDR4的金手指設(shè)計(jì)有很大的區(qū)別。DDR3的金手指沿著一條直線平行設(shè)計(jì)，DDR4的金手指中間凸起，兩邊折疊的弧形設(shè)計(jì)更容易，可以延長(zhǎng)內(nèi)存的壽命。4個(gè)DDR4內(nèi)存金手指與內(nèi)存插槽觸點(diǎn)充分接觸，保證信息傳輸穩(wěn)定。而且DDR4有288個(gè)金手指觸點(diǎn)，DDR3有240個(gè)，比DDR3帶寬更大。而DDR4的中間#34缺口#34比DDR3更靠近中間，所以用戶插錯(cuò)內(nèi)存的概率更低。

性能方面，首先是容量變化。同樣單位的DDR4芯片比DDR3的存儲(chǔ)空間更大，DDR4可以承載8個(gè)模塊，是DDR3的2倍，也就是容量是DDR3的4倍。比如3360 DDR 3的容量可以達(dá)到8GB，而DDR4的容量可以達(dá)到32GB。Sirius系列DDR3的內(nèi)存容量為4GB-8GB，Sirius系列DDR4的內(nèi)存容量為4GB-16GB。另外，隨著電壓的變化，DDR4的電壓為1.2V，而DDR3的電壓為1.5V，降低了20%,更加節(jié)能。

重點(diǎn)是處理器的更換。與DDR3相比，DDR4的頻率明顯提高。DDR3的啟動(dòng)頻率是1333 MB/s和2133 MB/s，而DDR4的啟動(dòng)頻率已經(jīng)是2133 MB/s，頻率可以提升到3200 MB/s以上，目前DDR4的高頻內(nèi)存大多維持在3000 MB/s左右。