華為如果只能生產(chǎn)14nm,大概是什么水平，類(lèi)似幾年前的手機(jī)？首先，華為沒(méi)有生產(chǎn)芯片的能力，更別說(shuō)14nm了。如果華為能生產(chǎn)14納米芯片，美國(guó)就不會(huì)有什么問(wèn)題！目前，華為的芯片代工大部分由臺(tái)積電完成，以

華為如果只能生產(chǎn)14nm,大概是什么水平，類(lèi)似幾年前的手機(jī)？

首先，華為沒(méi)有生產(chǎn)芯片的能力，更別說(shuō)14nm了。如果華為能生產(chǎn)14納米芯片，美國(guó)就不會(huì)有什么問(wèn)題

！目前，華為的芯片代工大部分由臺(tái)積電完成，以14%的收入成為臺(tái)積電第二大客戶(hù)。目前，臺(tái)積電是世界上為數(shù)不多的能夠?qū)崿F(xiàn)7Nm制造工藝、保證產(chǎn)量和產(chǎn)能的公司之一。另一家鑄造廠是韓國(guó)的三星。中國(guó)的半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展緩慢。雖然一直在努力追趕，但到目前為止，中國(guó)著名的半導(dǎo)體代工“中芯國(guó)際”只能保證14nm芯片的供應(yīng)，而7Nm及以下的工藝需要更先進(jìn)的光刻機(jī)。目前，世界上唯一能生產(chǎn)這種水平的光刻機(jī)的是荷蘭的asmai。

早在2018年，中芯國(guó)際就從荷蘭ASMC訂購(gòu)了一種7Nm光刻膠，但至今尚未交付。最大的沖擊來(lái)自美國(guó)，升級(jí)后的“實(shí)體名單”讓華為感到壓力更大。因此，華為立即向臺(tái)積電下了7億美元的訂單，增加了7Nm芯片和5nm芯片（麒麟今年下半年的最新更新），未來(lái)華為將維持季度出貨量。

如果華為未來(lái)只能采用中國(guó)的“中芯國(guó)際”O(jiān)EM，那么在處理器性能和功耗方面無(wú)疑沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)力。此外，華為的14nm芯片目前正處于5g市場(chǎng)份額競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵時(shí)期，就像四年前snapdragon 820和821的表現(xiàn)，或者說(shuō)華為麒麟950和960芯片處理器的表現(xiàn)一樣。只能說(shuō)在2020年，可以用

華為5G芯片能否用14nm做出來(lái)？（比如芯片面積做大）？

如果你想弄清楚問(wèn)題的主要意思，問(wèn)題是，沒(méi)有臺(tái)積電OEM，中芯國(guó)際能用現(xiàn)有的量產(chǎn)14nm工藝生產(chǎn)華為5g芯片嗎？有網(wǎng)友表示，華為5g芯片不能用14nm制造，但沒(méi)關(guān)系。然而，由于Baron基帶不能內(nèi)置于SOC芯片中，所以需要外置。

為什么基帶不能內(nèi)置？

目前華為5g芯片（以量產(chǎn)麒麟9905g版為例）采用7Nm的EUV工藝。在相同的設(shè)計(jì)下，晶體管密度比DUV工藝的普通7Nm高20%。大致可以認(rèn)為，它的芯片面積比麒麟990大，5g版增加了20%（實(shí)際可能更大，這里不詳細(xì)），而普通的7Nm工藝比14nm工藝先進(jìn)兩代。根據(jù)每一代的落后和相同數(shù)量的晶體管，芯片面積增加了20%。與7Nm工藝相比，14nm工藝提高了約73%。

麒麟9905g的芯片面積為113.31平方毫米，或1.1331平方厘米。根據(jù)以上數(shù)據(jù)，如果采用14nm工藝，芯片面積將增加到1.96平方厘米左右。

這是裸芯的區(qū)域，即模具。眾所周知，芯片是封裝后的最后一塊芯片。而包裝就是要占這個(gè)面積。根據(jù)麒麟9905g的實(shí)物圖片（見(jiàn)下圖），芯片封裝后，最終產(chǎn)品的面積將增加60%左右。

3.136平方厘米的面積有多大？它大致相當(dāng)于普通成年人的3個(gè)食指指甲和X1個(gè)食指指甲的寬度。這是一個(gè)大面積，所以很難插上手機(jī)主板。

即使幾乎沒(méi)有插上電源，熱量和電力消耗也會(huì)讓工程師頭疼。

總之，芯片設(shè)計(jì)和工藝是匹配的。采用低工藝高設(shè)計(jì)會(huì)帶來(lái)功耗、散熱、主板布局等一系列問(wèn)題，最終降低手機(jī)的使用體驗(yàn)。

制程7納米的amd cpu為什么比英特爾14納米功耗高？

是所有者對(duì)AMD的u有偏見(jiàn)，還是他只是在尋找一個(gè)話題來(lái)破解AMD，還是他只是猜測(cè)7Nm系列？如下圖所示，AMD陣營(yíng)的處理器溫度約為65℃，12核ryzen 9 3900x的溫度與6核ryzen 5 2600x的溫度幾乎相同，這是高功耗嗎？

在英特爾陣營(yíng)中，i9-9900k和i9-9700k的大核都飆升到90度以上，i9-9900k甚至要達(dá)到100℃，雖然頻率足夠高，但它帶來(lái)的高熱值卻不容忽視。在溫度控制方面，第三代夏普龍已經(jīng)贏得了英特爾的高端處理器。

為什么手機(jī)芯片工藝可以7nm，而電腦cpu只能14nm？

這個(gè)問(wèn)題實(shí)在太讓人困惑了，我們必須說(shuō)，因?yàn)橛?jì)算機(jī)CPU基本上是由英特爾主導(dǎo)的，它也是世界上最大的半導(dǎo)體公司，現(xiàn)在是第二大的，它的CPU研發(fā)和制造技術(shù)至少在現(xiàn)在的世界上，所以面臨的主要問(wèn)題是：1、你一定要相信英特爾，至少現(xiàn)在是

2，當(dāng)有人說(shuō)我是當(dāng)進(jìn)程達(dá)到7Nm，CPU只使用14nm時(shí)，請(qǐng)參考第一個(gè)

為什么？因?yàn)楝F(xiàn)在所謂的工序號(hào)已經(jīng)成為一種營(yíng)銷(xiāo)手段。所謂的“7Nm”營(yíng)銷(xiāo)標(biāo)簽不同于英特爾的“10nm”。晶體管的物理尺寸在同一范圍內(nèi)。真正的區(qū)別是看誰(shuí)更無(wú)恥。例如，全球鑄造廠（GF，AMD的CPU制造商）最近表示，他們新的7Nm工藝類(lèi)似于英特爾的10nm工藝。

我們不要空談。以上是英特爾公司發(fā)布的14nm晶體管的數(shù)據(jù)。其柵極寬度為42nm，而三星14nm工藝的柵極寬度為48nm，臺(tái)積電16nm工藝的柵極寬度為45nm。如果你稍微注意一下，英特爾的14nm工藝應(yīng)該是16nm，但也應(yīng)該是14nm。誰(shuí)讓這個(gè)沒(méi)有強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)可循。

實(shí)際差別遠(yuǎn)不止這些。看看最后的晶體管區(qū)域。在1um^2的面積內(nèi)，英特爾的14nm晶體管可以放101個(gè)，三星的14nm晶體管只能放75個(gè)，臺(tái)積電的16nm晶體管可以放81個(gè)。

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英特爾明年將量產(chǎn)10nm產(chǎn)品，其水平可能與7Nm幾乎持平。即便如此，你還是要相信英特爾更優(yōu)秀。

14nm水平的芯片和3nm的芯片在應(yīng)用上到底有什么差別？

14納米的密度是每平方毫米3300萬(wàn)個(gè)晶體管，7納米大約是1.08億個(gè)晶體管，3納米至少是2.5億個(gè)晶體管。假設(shè)面積相同，功耗可降低80%。在相同的性能下，功耗降低了80%。想象一下差距。