垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管VDMOS具有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點。VDMOS是開關(guān)應(yīng)用或線性應(yīng)用的理想功率器件。VDMOS主要應(yīng)用于電機(jī)調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關(guān)、高保真音

垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管VDMOS具有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點。VDMOS是開關(guān)應(yīng)用或線性應(yīng)用的理想功率器件。VDMOS主要應(yīng)用于電機(jī)調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關(guān)、高保真音響、汽車電器、電子鎮(zhèn)流器等領(lǐng)域。

特點：幾乎無限的靜態(tài)輸入阻抗，非?？斓拈_關(guān)時間，導(dǎo)通電阻，正溫度系數(shù)，近似恒定跨導(dǎo)，高DV/dt。

VDMOS詳細(xì)工作原理？

功率MOS采用水平結(jié)構(gòu)。該器件的源極s、柵極g和漏極D均位于硅片的一側(cè)。導(dǎo)通電阻大，性能差，硅片利用率低。VDMOS以二次擴(kuò)散的形式利用p型區(qū)和n型區(qū)結(jié)深的差異，形成一個非常短且精確控制的溝道長度（1~3）。它可以做成垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，可以直接安裝漏極。電流容量大，集成度高。